6月23日，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。
湖南三安半导体基地位于长沙高新产业园区内，规划用地面积约1000亩，2020年7月破土动工，全部建成达产后，预计将实现年销售额120亿元，年贡献税收17亿元，将促进第三代半导体行业加快发展，带动周边配套产业近万个就业机会。
点亮仪式上，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南项目是三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步，主要建设具有自主知识产权，以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，在为客户提供高品质准时交付产品的同时，兼具大规模生产的成本优势。
碳化硅作为第三代半导体的代表，具有优越的电气性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求，在电力电子、固态照明等领域具有重要的应用价值，成为后摩尔时代主要技术之一。根据权威机构预测，未来10年内碳化硅器件年复合增长率将达31%，将大规模应用于工业及电动汽车领域等。
湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落，加速上游IC设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期，推动产业链繁荣发展。三安半导体负责人表示：“三安光电在化合物半导体领域具有技术研发、专利、规模、产品和营销渠道等诸多优势，此次投产湖南三安半导体项目，产品可广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域，共同实现宽禁带半导体器件的普及。”
据悉，三安光电第三代半导体产品已规模应用于电力电子等领域。公司2020年财报显示，截至2020年年底，公司电力电子产品主要为高功率密度碳化硅功率二极管、MOSFET及硅基氮化镓功率器件。碳化硅二极管开拓客户182家，送样客户92家，转量产客户35家，超过30种产品已进入批量量产阶段。二极管产品已有2款产品通过车载认证，送样客户4家，目前封装测试中。
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