近年来，加速芯片国产化进程已成为中国科技企业当下较为重要的议题之一。据日经亚洲评论1月12日报道，中国存储芯片制造商——扬子存储正在加速生产。
报道指出，扬子储存计划于2021年实现每月的存储芯片产量增加一倍，达到10万片晶圆，约占全球总产量的7%。如上述目标能够实现，那么将极大对推动我国建立完整的半导体供应链。
NAND闪存是所有计算设备(从智能手机和PC到服务器和互联汽车)中使用的内存和存储的关键组件，但是目前全球大多数产能仍由少数供应商垄断。
当下，三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，晶圆月产能达48万片;而美国最大的存储芯片制造商美光(Micron)每月可生产约18万片。如果扬子储存能达到月产10万片的目标，也将拉小与这些芯片储存巨头的差距。
除了增加芯片产量，扬子储存还加快了技术开发的步伐，挑战美日韩芯片巨头(依次为美光、Kioxia以及三星)在这一技术领域的垄断地位。据知情人透露，扬子储存最早将于今年中旬实现首批192层3D NAND闪存芯片试产。相比之下，目前上述海外厂商仍在致力于开发176层3D NAND闪存芯片。
而对于美日韩存储芯片制造商来说，迅猛发展的扬子存储无疑也将成为前者有力的竞争对手。据报道，随着扬子存储芯片量产，国际存储芯片的竞争将加剧，价格也很可能受到冲击。
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