很遗憾，如果按照当前的实际情况出发，无论多少年之后我国都或将没法完成一台全球领先光刻机的打造(但愿这只是我个人悲观的看法)。并不是时间上的问题，而是核心技术无法获取的痛楚!芯片领域是美国打压我国的主要手段，对于核心技术并不会有一丝一毫的放松，这将进入一个死循环模式(只要我国在光刻机领域有所突破，就会遭到美国不计成本的打压，从而使得光刻机的发展再次陷入低谷)。
即便是全球领先的ASML公司，也没有办法凭借一己之力打造出顶端光刻机，而是采取了合作共赢的方式来实现。ASML公司背后有英特尔、台积电、三星等股东的支持，生产的光刻机不仅有台积电、三星接手，也会受到股东的投资协助。之所以ASML公司能够超越尼康、佳能在高端光刻机领域站稳脚跟，主要是其加入了美国的 EUV LLC 组织，从而获得了光刻领域的核心技术。ASML公司光刻机镜头来自德国蔡司，光源是美国的Cymer公司(现被收购)，如果没有美国的相关帮助，很难想象ASML公司能够得到今天的发展。
我国当前光刻机的生产公司为上海微电子装备公司，该公司当前能够生产最先进的光刻机设备是SSX600系列，能够实现90nm工艺制程的芯片制造。那么，当前顶级光刻机产品的工艺制程是多少呢?就以华为最新的麒麟9000芯片为例，由台积电为其代工，使用的制造工艺为5nm。由此可见，我国光刻机与顶端光刻机之间存在的差距，现在仅具备中低端光刻机生产的能力。暂且不论生产顶端光刻机中涉及到的技术难题，就连构成光刻机的高端零部件，在美国的打压限制之下，或将都无法正常购得。
美国对于我国芯片领域打压目的十分明显，主要针对于高端领域，中低端几乎采取睁一只眼闭一只眼的态度。上海微电子装备公司生产的光刻机暂且并不在美国的打压范围之列，美国实体名单也并未出现过这家公司。那么，美国当前打压区间究竟在哪里呢?美国限制台积电为华为代工，阻止中芯国际EUV光刻机到货便能够看出，主要针对的是7nm、5nm工艺制程的高端芯片。中芯国际当前能够实现14nm芯片的代工生产，下限区间值应该在此范围。
在光刻机领域，美国已经领先太多，想要在此跑道上超越并不现实!更换跑道，重新起跑也不失为一种较佳的策略。放弃光刻机领域，研发其他方式的芯片生产技术，这或将是反超美国的机会。当然，这同样需要有大量的技术力量积累，也非一朝一夕之功，否则将会弄巧成拙。例如美国5G落后，就想跳过5G直接研发6G，最终也只能成为笑柄。
如果执着于光刻机产品，您觉得我国需要多少年才能够打造一台全球先进的光刻机呢?欢迎大家留言讨论。
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